【英文标准名称】:ElectrodepositedCoatingsofTin
【原文标准名称】:电解沉积锡镀层
【标准号】:ASTMB545-1992
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1992
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:覆层;金属的;金属覆层;电解镀层;锡;金属
【英文主题词】:tin;metalcoatings;metallic;electrodeposition;coatings;metals
【摘要】:
【中国标准分类号】:A29;H62
【国际标准分类号】:25_220_40
【页数】:8P;A4
【正文语种】:英语
基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＣＴ６８２、６８３、６８５～６９２和３ＣＴ５２０６型反向阻断闸流晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for reverse-blocking thyristor for Types 3CT682,683, 685～692 and 3CT5206 |
| 中标分类： |
矿业 >>
矿业综合 >>
技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和青岛电器件厂 |
| 起草人： | 金贵永、郭美琪、陈熙春 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 11页 |
适用范围
本规范规定了3CT682、683、685~692和3CT5206型反向阻断闸流晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级)。
前言
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目录
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引用标准
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
SJ/T 9014.3-1987半导体分立器件 第6部分 闸流晶体管
所属分类： 矿业 矿业综合 技术管理
基本信息
| 标准名称： | 城市用地分类与规划建设用地标准 |
| 英文名称： | Classification of land in cities and standards for land use of construction project |
| 中标分类： |
工程建设 >>
工程建设综合 >>
经济管理 |
| ICS分类： |
建筑材料和建筑物 >>
自然规划、城市规划
|
| 替代情况： | 被GB 50137-2011代替并废止 |
| 发布部门： | 中华人民共和国建设部 |
| 发布日期： | 1990-07-02 |
| 实施日期： | 1991-03-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2012-01-01 |
| 提出单位： | 中华人民共和国建设部 |
| 归口单位： | 中华人民共和国原城乡建设环境保护部 |
| 起草单位： | 中国城市规划设计研究院 |
| 起草人： | 蒋大卫、范耀邦、沈福林、吴今露、罗希 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 25页 |
适用范围
本标准适用于城市中设市城市的总体规划工作和城市用地统计工作.
前言
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引用标准
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所属分类： 工程建设 工程建设综合 经济管理 建筑材料和建筑物 自然规划 城市规划